CFexpressの記録メディア紹介、NAND技術

CFexpressカードのメディアはNANDフラッシュメモリー技術で作られています。つまり、CFexpressの記録メディアのことを知りたければ、まずNANDフラッシュメモリーを言わなければならないです。

NAND フラッシュメモリーの意味

NANDフラッシュメモリは不揮発性フラッシュメモリです。データを保存した後、電源を切ってもデータを保存し続けることができます。同時に消費電力が低く、軽量という利点もあります。

この特性により、NAND は外部デバイス、モバイルポータブルデバイス、および電子製品の内蔵ストレージとして理想的な選択肢となります。 例えば、携帯電話やデジタルカメラの内蔵ストレージには NAND フラッシュ メモリが使用されており、ssdや外付けSSD、CFexpressなどはすべて NAND フラッシュ メモリ テクノロジーによって生まれ、開発されています。

NANDフラッシュメモリの一般的なタイプは、SLC、MLC、TLC、QLC です。

NANDフラッシュメモリのタイプ

1.SLC

SLCのユニットは 1bitのデータを保存します。 電子が満たされていない場合は 0 を表し、電子が満たされている場合は 1 を表します。 データの書き込みと取得は高速で、最高のパフォーマンスと最高の耐久性を備え、最大 100,000 P/E サイクルを実現します。 ただし、このタイプのフラッシュ メモリはデータ密度が低いため、SLC フラッシュ メモリが最も高価になります。 SLCは耐久性に優れているため、サーバーや軍事産業など、高い読み書き耐久性が要求される業界で使用されています。

SLC はすべてのタイプの中で最も高い耐久性を持っていますが、容量が最も低く、最も高価です。

2.MLC

MLCのユニットには 2bitのデータが格納されます。 MLC のデータ密度は SLC よりも高くなります。 記憶容量は大きくなりますが、P/E サイクル数は 10,000 回であるため、耐久性は SLC よりも低くなります。 MLC はサーバーおよび産業レベルで広く使用されています。

MLCは2番目に優れた耐久性を持ち、読み書き速度はSLCに及ばないが、価格はSLCより安い。

3.TLC

TLCのユニットは 3bitのデータを保存し、P/E サイクルは最大 3,000 に短縮されます。

TLCはユニットスペース内の容量が増加しますが、性能と耐久性は低下し、価格はMLCに比べて安くなります。 現在市場では、TLC が最もコストのオプションです。 性能、価格、容量などバランスが取れています。現在市場に出回っているCFexpressはほとんどこのTLCタイプです。

4.QLC

QLCのユニットには 4 ビットのデータが格納され、その容量は TLC よりも大きくなります。 P/Eサイクルが1,000回しかないので耐久性は悪いですが、価格は安いです。

QLC はパフォーマンスと耐久性が最悪ですが、性能とユニットの耐久性で不足している部分は容量の増加によって補われています。将来的には、TLC に代わる第一選択となる可能性があります。

まとめ

ここまで読んでみると、SLCからQLCまで容量が増えつつあり、価格も下がっていることがわかります。これがいいしゃないかと思う人もいるかもしれないが、それには代価があります。

1.速度

SLCは1 bitのデータしか格納できませんが、構造が簡単なので速度も最速です。格納データが増えるにつれて速度も遅くなります。

2.耐用年数

ストレージユニットには寿命があります。メモリセルに電子を入れたり取り出したりすると、メモリセルに摩耗が発生します。摩耗が多ければ多いほど壊れやすくなります。SLCからQLCまで、P/E サイクルは100,00回から1,000回に削減されました。言い換えれば、耐用年数は大容量と低価格と引き換えになります。

最後

現在、TLCが最もコストが高いです。TLCのCFexpressは手頃な価格であるだけでなく、読み書きの速度もほとんどすべてのニーズに対応できます。市場に出回っているCFexpressはほとんどこのTLCタイプです。TLCのCFexpressはおすすめです。